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深圳市鑫瑯圖科技有限公司

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MA4AGSW2 鋁-鎵-砷、單刀雙擲 (SPDT)、PIN 二極管開關(guān)

型號: MA4AGSW2

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 零件號 MA4AGSW2
  • 描述 AlGaAs 反射式
  • 最小頻率(MHz) 50
  • 最大頻率(MHz) 50000

--- 產(chǎn)品詳情 ---

 

 

MA4AGSW2

AlGaAs 反射式

MA4AGSW2 是一種鋁-鎵-砷、單刀雙擲 (SPDT)、PIN 二極管開關(guān)。該開關(guān)采用增強型 AlGaAs 陽極,采用 MACOM 的專利異質(zhì)結(jié)技術(shù)形成。與傳統(tǒng) GaAs 工藝相比,該技術(shù)產(chǎn)生的開關(guān)損耗更少。在 50GHz 時可實現(xiàn)多達 0.3 dB 的插入損耗降低。這些器件是在 OMCVD 外延晶片上制造的,采用的工藝旨在實現(xiàn)高器件均勻性和極低的寄生效應(yīng)。二極管本身具有低串聯(lián)電阻、低電容和快速開關(guān)速度。它們用氮化硅完全鈍化,并具有額外的聚合物層以保護劃痕。保護涂層可防止在處理和組裝過程中損壞二極管結(jié)和陽極空氣橋。需要片外偏置電路。AlGaAs 的高電子遷移率和 PIN 二極管的低電容使該開關(guān)成為快速開關(guān)、高頻、多擲開關(guān)設(shè)計的理想選擇。這些 AlGaAs PIN 開關(guān)用于雷達系統(tǒng)、輻射計、測試設(shè)備和其他多組件組件的開關(guān)陣列。

 

 

 

 

特征

  • 超寬帶寬:50 MHz 至 50 GHz
  • 符合 RoHS*
  • 低電流消耗:-10mA 用于低損耗狀態(tài),+10mA 用于隔離狀態(tài)
  • 50 GHz 時 33 dB 隔離
  • 0.7分貝插入損耗
  • 功能帶寬:50 MHz 至 70 GHz
  • 聚合物劃痕保護
  • 氮化硅鈍化
  • MACOM 獨特的 AlGaAs 異質(zhì)結(jié)陽極技術(shù)
  • 260°C 回流兼容

 

產(chǎn)品規(guī)格

零件號

 

MA4AGSW2

描述

 

AlGaAs 反射式

最小頻率(MHz)

 

50

最大頻率(MHz)

 

50000

隔離度(dB)

 

46

插入損耗 (dB)

 

0.600

IIP3(dBm)

 

40

IP1dB(dBm)

 

29

CW入射功率(W)

 

0.2

包裝類別

 

包裹

 

ROHS

 

是的

 

 

 

 

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