NPTB00004B

GaN 功率晶體管，28 V，5 W DC - 6 GHz

NPTB00004B GaN HEMT 是一款針對 DC - 6 GHz 操作優化的功率晶體管。該器件支持 CW、脈沖和線性操作，輸出功率水平高達 5 W (37 dBm)，采用行業標準表面貼裝塑料封裝。

特征

• 57% 漏極效率 @ 2.5 GHz
• GaN on Si HEMT D 模式晶體管
• 可調諧從 DC - 6 GHz
• 行業標準 SOIC 塑料封裝
• 28V操作
• 符合 RoHS* 標準
• 100 % 射頻測試
• 14.8 分貝增益 @ 2.5 GHz
• 28 伏操作
• 適用于線性和飽和應用

產品規格

零件號

NPTB00004B

描述

GaN 功率晶體管，28 V，5 W DC - 6 GHz

最小頻率(MHz)

0

最大頻率(MHz)

6000

電源電壓(V)

28

PSAT(W)

5.0

增益（分貝）

14.8

效率

>50

測試頻率(GHz)

2.50

包裹

SOIC8

包裹類別

塑料

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