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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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QPD2060D 分立式 GaAs 芯片

型號: QPD2060D

--- 產品參數 ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 20,000
  • 增益(分貝) 12
  • OP1dB (dBm 28
  • 飽和度(dBm) 28
  • 噪聲系數(分貝) 1.4
  • PAE (%) 55
  • 電壓(伏) 8個
  • Idq (毫安) 97
  • 包裝(毫米) 0.41 x 0.34 x 0.10

--- 產品詳情 ---

QPD2060D

產品簡介
Qorvo 的 QPD2060D 是一款分立式 600 微米 pHEMT,工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2060D 采用 Qorvo 經驗證的標準 0.25um 功率 pHEMT 生產工藝設計。該工藝采用先進技術,可在高漏極偏壓工作條件下優化微波功率和效率。QPD2060D 通常在 P1dB 時提供 28dBm 的輸出功率,在 1dB 壓縮時具有 12dB 的增益和 55% 的功率附加效率。這種性能使 QPD2060D 適合高效應用。帶有氮化硅的保護涂層提供了一定程度的環境穩健性和防刮擦保護。

 

產品規格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 20,000
增益(分貝) 12
OP1dB (dBm) 28
飽和度(dBm) 28
噪聲系數(分貝) 1.4
PAE (%) 55
電壓(伏) 8個
Idq (毫安) 97
包裝(毫米) 0.41 x 0.34 x 0.10

 

主要特征
頻率范圍:DC - 20 GHz
典型輸出功率 P1dB:28 dBm
12 GHz 時的典型增益:12 dB
12 GHz 時的典型 PAE:55%
12 GHz 時的典型 NF:1.4 dB
無過孔
技術:0.25 um GaAs pHEMT
芯片尺寸:0.41 x 0.34 x 0.10 毫米

 

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