產品簡介
Qorvo 的QPD1009 是 SiC HEMT 上的 15 W (P3dB) 分立式 GaN，工作頻率范圍為 DC 至 4 GHz。該器件采用 Qorvo 經驗證的 QGaN25HV 工藝構建，該工藝采用先進的場板技術，可在高漏極偏置工作條件下優化功率和效率。就更少的放大器陣容和更低的熱管理成本而言，這種優化可能會降低系統成本。
該器件采用行業標準的 3 x 3 mm 表面貼裝 QFN 封裝。
產品規格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 4,000
增益（分貝） 24
飽和度(dBm) 42.3
PAE （%） 72
電壓（伏） 50
Idq （毫安） 26
包裝類型 QFN
包裝（毫米） 3×3
主要特征
頻率范圍：DC - 4 GHz
輸出功率 (P3dB)：2 GHz 時為 17 W
線性增益：2 GHz 時典型值為 24 dB
典型 PAE3dB：2 GHz 時為 72%
工作電壓：50V
低熱阻封裝
CW 和脈沖能力
3 x 3 毫米封裝
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