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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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QPD1010 射頻晶體管

型號： QPD1010

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 4,000
  • 增益（分貝） 24.7
  • 飽和度(dBm) 40.4
  • PAE （%） 70
  • 電壓（伏） 50
  • Idq （毫安） 18
  • 包裝類型 QFN
  • 包裝（毫米） 3×3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

QPD1010

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 QPD1010 是 SiC HEMT 上的 10 W (P3dB) 分立式 GaN，工作頻率范圍為 DC 至 4 GHz。該器件采用 Qorvo 經(jīng)驗證的 QGaN25HV 工藝構(gòu)建，該工藝采用先進的場板技術(shù)，可在高漏極偏置工作條件下優(yōu)化功率和效率。就更少的放大器陣容和更低的熱管理成本而言，這種優(yōu)化可能會降低系統(tǒng)成本。
該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 3 x 3 mm 表面貼裝 QFN 封裝。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 4,000
增益（分貝） 24.7
飽和度(dBm) 40.4
PAE （%） 70
電壓（伏） 50
Idq （毫安） 18
包裝類型 QFN
包裝（毫米） 3×3

 

主要特征
頻率范圍：DC - 4 GHz
輸出功率 (P3dB)：2 GHz 時為 11 W
線性增益：2 GHz 時典型值為 24.7 dB
典型 PAE3dB：2 GHz 時為 70%
工作電壓：50V
低熱阻封裝
CW 和脈沖能力
3 x 3 毫米封裝

 

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