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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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QPD1015 射頻功率晶體管

型號： QPD1015

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 3,700
  • 增益（分貝） 20
  • 飽和度(dBm) 48.5
  • PAE （%） 74
  • 電壓（伏） 50
  • Idq （毫安） 65
  • 包裝類型 NI-360

--- 產(chǎn)品詳情 ---

QPD1015

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 QPD1015 是一款 65 W (P3dB) 寬帶無可匹敵的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，其工作頻率范圍為 DC 至 3.7 GHz 和 50V 電源軌。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)氣腔封裝，非常適用于軍用和民用雷達(dá)、陸地移動和軍用無線電通信、航空電子設(shè)備和測試儀器。該器件可以支持脈沖、CW 和線性操作。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 3,700
增益（分貝） 20
飽和度(dBm) 48.5
PAE （%） 74
電壓（伏） 50
Idq （毫安） 65
包裝類型 NI-360

 

主要特征
頻率范圍：DC - 3.7GHz
輸出功率 (P3dB)：2 GHz 時(shí)為 70 W
線性增益：2 GHz 時(shí)典型值為 20 dB
典型 PAE3dB：2 GHz 時(shí)為 74%
工作電壓：50V
低熱阻封裝

 

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