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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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QPD1018 內(nèi)部匹配分立式 GaN

型號： QPD1018

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 2,700
  • 最大頻率(MHz) 3,100
  • 增益（分貝） 17.7
  • 飽和度(dBm) 57.6
  • PAE （%） 67.9
  • 電壓（伏） 50
  • Idq （毫安） 750
  • 包裝類型 RF-565
  • 包裝（毫米） 17.4 × 24 × 4.3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

QPD1018 

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 QPD1018 是一款 500 W (P3dB) 內(nèi)部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 2.7 至 3.1 GHz 和 50V 電源軌。該器件是 GaN IMFET，完全匹配 50 歐姆，采用行業(yè)標準氣腔封裝，非常適合軍用雷達。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 2,700
最大頻率(MHz) 3,100
增益（分貝） 17.7
飽和度(dBm) 57.6
PAE （%） 67.9
電壓（伏） 50
Idq （毫安） 750
包裝類型 RF-565
包裝（毫米） 17.4 × 24 × 4.3

 

主要特征
頻率范圍：2.7 - 3.1 GHz
輸出功率 (P3dB)：2.9 GHz 時為 575 W
線性增益：2.9 GHz 時典型值為 17.7 dB
典型 PAE3dB：2.9 GHz 時為 67.9%
工作電壓：50V
低熱阻封裝
脈沖能力

 

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