QPD1019 內部匹配分立式 GaN

分立式

型號： QPD1019

--- 產品參數 ---

最低頻率(MHz) 2,900
最大頻率(MHz) 3,300
增益（分貝） 15.5
飽和度(dBm) 57.7
PAE （%） 67
電壓（伏） 50
Idq （毫安） 750
包裝類型 RF-565

--- 產品詳情 ---

產品簡介
Qorvo 的 QPD1019 是一款 500 W (P3dB) 內部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 2.9 至 3.3 GHz 和 50V 電源軌。該器件是 GaN IMFET，完全匹配 50 歐姆，采用行業標準氣腔封裝，非常適合軍用雷達。

產品規格
最低頻率(MHz) 2,900
最大頻率(MHz) 3,300
增益（分貝） 15.5
飽和度(dBm) 57.7
PAE （%） 67
電壓（伏） 50
Idq （毫安） 750
包裝類型 RF-565

主要特征
頻率范圍：2.9 - 3.3 GHz
輸出功率 (P3dB)：3.1 GHz 時為 590 W
線性增益：3.1 GHz 時典型值為 15.5 dB
典型 PAE3dB：3.1 GHz 時為 67%
工作電壓：50V
低熱阻封裝
脈沖能力

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