產品簡介
Qorvo 的 QPD1025 是 SiC HEMT 上的 1800 W (P3dB) 分立式 GaN，工作頻率范圍為 0.96 至 1.215 GHz。封裝內的輸入預匹配可簡化外部電路板匹配并節省電路板空間。該器件采用行業標準氣腔封裝，非常適合 IFF、航空電子設備和測試儀器。該器件可支持 CW 和脈沖操作。
產品規格
最低頻率(MHz) 960
最大頻率(MHz) 1,215
增益（分貝） 22.5
飽和度(dBm) 62.7
PAE （%） 77.2
電壓（伏） 65
Idq （毫安） 1,500
包裝類型 NI-1230（無耳）
主要特征
頻率范圍：0.96 至 1.215 GHz
輸出功率 (P 3dB 1 )：1862 瓦
線性增益：22.5 分貝
典型 PAE 3dB 1 : 77.2 %
工作電壓：65V
CW 和脈沖能力
注1：@ 1.0GHz 負載牽引
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