--- 產品參數 ---
- VDS 最大值(V) 650
- 內徑最大值(A) 85
- 封裝 TO-247-4L
--- 產品詳情 ---
Qorvo 的 UF3C065030K4S 650 V、27 mohm SiC FET 產品將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET 與 FET 優化 MOSFET 共同封裝,以生產當今市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該系列使用 4 端子 TO-247 封裝展示了非??焖俚拈_關和任何類似額定值設備的最佳反向恢復特性。這些器件非常適合開關電感負載,以及任何需要標準柵極驅動的應用。
主要特征
- 導通電阻 (RDS(on)):27 mohm(典型值)
- 最高工作溫度:175 °C
- 優秀的反向恢復
- 低柵極電荷
- 低本征電容
- ESD 保護,HBM 2 級
VDS 最大值(V) | 650 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 27 |
內徑最大值(A) | 85 |
一代 | 第 3 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽車資質 | 是的 |
包裝類型 | TO-247-4L |
UF3C065030B3
UF3C065030K3S
UF3C065030K4S
UF3C065030T3S
UF3C065040B3
UF3C065040K3S
UF3C065040K4S
UF3C065040T3S
UF3C065080B3
UF3C065080B7S
UF3C065080K3S
UF3C065080K4S
UF3C065080T3S
UF3C120040K3S
UF3C120040K4S
UF3C120080B7S
UF3C120080K3S
UF3C120080K4S
UF3C120150B7S
UF3C120150K4S
UF3C120400B7S
UF3C120400K3S
UF3C170400B7S
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