--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- VDS 最大值(V) 650
- RDS(on) 80
- 內(nèi)徑最大值(A) 31
- 一代 第 3 代
- Tj 最大值(°C) 175
- 汽車資質(zhì) 是的
- 包裝類型 TO-247-3L
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 UF3C065080K3S 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨特的級聯(lián)電路配置,其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或 SiC MOSFET 時需要最少的重新設計。該器件采用 TO-247-3L 封裝,具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性,與推薦的 RC 緩沖器一起使用時非常適合開關電感負載,以及任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。
產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 650
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 80
內(nèi)徑最大值(A) 31
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質(zhì) 是的
包裝類型 TO-247-3L
主要特征
導通電阻 (RDS(on)):80 mohm(典型值)
最高工作溫度:175 °C
優(yōu)秀的反向恢復
低柵極電荷
低本征電容
ESD 保護,HBM 2 級
相關型號
UF3C065030B3
UF3C065030K3S
UF3C065030K4S
UF3C065030T3S
UF3C065040B3
UF3C065040K3S
UF3C065040K4S
UF3C065040T3S
UF3C065080B3
UF3C065080B7S
UF3C065080K3S
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UF3C120040K3S
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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