產品簡介
Qorvo 的 UF3C120150B7S 1200 V、150 mohm SiC FET 器件基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或 SiC MOSFET 時需要最少的重新設計。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，非常適合開關電感負載以及任何需要標準柵極驅動的應用。
產品規格
VDS 最大值(V) 1,200
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 150
內徑最大值(A) 17
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質 不是
包裝類型 D2PAK-7L
主要特征
導通電阻 (RDS(on))：150 mohm（典型值）
最高工作溫度：175 °C
出色的反向恢復：Qrr = 67 nC
低體二極管 VFSD：1.46 V
低柵極電荷：QG = 25.7 nC
閾值電壓 VG(th)：4.4 V（典型值）允許 0 至 15 V 驅動
相關型號
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