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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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UF3SC065040B7S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

型號(hào)： UF3SC065040B7S

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • VDS 最大值(V) 650
  • RDS(on) 42
  • 內(nèi)徑最大值(A) 43
  • 一代 第 3 代
  • Tj 最大值(°C) 175
  • 汽車資質(zhì) 不是
  • 包裝類型 D2PAK-7L

--- 產(chǎn)品詳情 ---

UF3SC065040B7S

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 UF3SC065040B7S 650 V、42 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或 SiC MOSFET 時(shí)需要最少的重新設(shè)計(jì)。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，非常適合開關(guān)電感負(fù)載以及任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 650
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 42
內(nèi)徑最大值(A) 43
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質(zhì) 不是
包裝類型 D2PAK-7L

 

主要特征
導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：42 mohm（典型值）
最高工作溫度：175 °C
出色的反向恢復(fù)：Qrr = 185 nC
低體二極管 VFSD：1.5 V
低柵極電荷：QG = 43 nC
閾值電壓 VG(th)：5 V（典型值）允許 0 至 15 V 驅(qū)動(dòng)

 

相關(guān)型號(hào)
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