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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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UF4C120053K4S 柵極驅(qū)動 SiC FET 器件

型號： UF4C120053K4S

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • VDS 最大值(V) 1,200
  • RDS(on) 53
  • 內(nèi)徑最大值(A) 34
  • 一代 第 4 代
  • Tj 最大值(°C) 175
  • 汽車資質(zhì) 不是
  • 包裝類型 TO-247-4L

--- 產(chǎn)品詳情 ---

UF4C120053K4S

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 UF4C120053K4S 是一款 1200 V、53 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MOSFET 時需要最少的重新設(shè)計。該器件采用 TO-247-4L 封裝，具有超低柵極電荷和卓越的反向恢復(fù)特性，非常適合開關(guān)電感負載和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 1,200
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 53
內(nèi)徑最大值(A) 34
一代 第 4 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質(zhì) 不是
包裝類型 TO-247-4L

 

主要特征
導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：53 mohm（典型值）
最高工作溫度：175 °C
出色的反向恢復(fù)：Qrr = 216 nC
低體二極管 VFSD：1.28 V
低柵極電荷：QG = 37.8 nC
閾值電壓 VG(th)：4.8 V（典型值）允許 0 至 15 V 驅(qū)動

 

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