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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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ZXTN2031F NPN 中功率 晶體管

型號： ZXTN2031F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 類別 低飽和晶體管
  • 合規(guī)性 標準
  • Polarity NPN
  • VCEO, VCES 50
  • IC (A) 5
  • ICM (A) 12
  • PD (W) 1
  • fT (MHz) 125
  • RCE(sat) 24

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXTN2031F 

 
產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXTN2031F 先進的工藝能力和封裝設計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設備的緊湊尺寸和額定值使其非常適合空間非常寶貴的應用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
類別 低飽和晶體管
合規(guī)性（只有汽車支持 PPAP） 標準
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 50
IC (A) 5
ICM (A) 12
PD (W) 1
hFE (Min) 190
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 80
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 18
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 110
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/40
fT (MHz) 125
RCE(sat) (mΩ) 24

 

主要特征
bvco>50伏
BVCEV>80V正向閉鎖電壓，
IC=5A高連續(xù)集電極電流
ICM=12A集電極峰值電流
低飽和電壓，VCE（SAT）<40mV@1A
RCE（SAT）=24m? 對于低等效導通電阻
互補PNP類型：ZXTP2025F

 

相關型號
ZXTN19100CG
ZXTN19100CZ
ZXTN2005G
ZXTN2005Z
ZXTN2005ZQ
ZXTN2007G
ZXTN2007Z
ZXTN2010A
ZXTN2010G
ZXTN2010Z
ZXTN2010ZQ
ZXTN2011G
ZXTN2011Z
ZXTN2018F
ZXTN2018FQ
ZXTN2020F
ZXTN2031F
ZXTN2038F
ZXTN2040F

 

 

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