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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMC3060LVT 互補對增強模式 MOSFET 晶體管

型號： DMC3060LVT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMC3060LVT
  • 名稱 互補對增強模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 TSOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMC3060LVT 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMC3060LVT 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMC3060LVT
名稱            互補對增強模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝             TSOT26


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30, 30 V
|VGS| (±V) 12, 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.6, 2.8 A
PD @TA = +25°C (W) 1.16 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 60, 95 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 100 ,140 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.8, 2.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.6, 4.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.3, 8.6 nC
CISS Typ (pF) 395, 324 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15, 15 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏


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