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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMC3730UVT 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMC3730UVT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMC3730UVT
  • 名稱(chēng) 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TSOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMC3730UVT 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMC3730UVT 這種新一代MOSFET設(shè)計(jì)用于最大限度地減少導(dǎo)通狀態(tài)電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            DMC3730UVT
名稱(chēng)            互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝             TSOT26


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 25, 25 V
|VGS| (±V) 8, 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.68, 0.46 A
PD @TA = +25°C (W) 0.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 450, 1100 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 600, 1500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 730, 2200 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.45, 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.1, 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 1.64, 1.1 nC
CISS Typ (pF) 50, 63 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10, 10 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
ESD保護(hù)柵極


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