產品簡介
DIODES 的 DMN10H6D2LFDB這種MOSFET被設計為最小化導通電阻（RDS（ON））同時保持卓越的切換性能，使其成為理想之選用于高效電源管理應用。
小型伺服電機控制
功率MOSFET柵極驅動器
切換應用程序

產品規格 
品牌              DIODES
型號              DMN10H6D2LFDB
名稱              雙 N 溝道增強模式 MOSFET
產地               臺灣
封裝               U-DFN2020-6

產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.27 A
PD @TA = +25°C (W) 1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 6000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.2 nC

主要特征
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關速度快
低輸入/輸出泄漏
高漏源電壓額定值
ESD 保護高達 1kV

相關型號
DMN10H6D2LFDB
DMN10H700S
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DMN1150UFL3
DMN11M2UCA14
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DMN15H310SK3
DMN15M3UCA6
DMN15M5UCA6
DMN16M0UCA6
DMN16M8UCA6
DMN16M9UCA6
DMN2004DMK
DMN2004DWK
DMN2004K
DMN2004TK
DMN2004VK
DMN2004WK
DMN2004WKQ
DMN2005DLP4K
DMN2005K
DMN2005LP4K
DMN2005LPK
DMN2005UFG
DMN2005UFGQ
DMN2005UPS
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DMN2009LSS
DMN2009UCA4
DMN2009UFDF
DMN2009USS
DMN2011UFDE
DMN2011UFDF
DMN2011UFX
DMN2011UTS
DMN2012UCA6
DMN2013UFDE
DMN2013UFDEQ
DMN2013UFX
DMN2014LHAB
DMN2015UFDE
DMN2015UFDF
DMN2016LFG
DMN2016LHAB
DMN2016UFX
DMN2016UTS
DMN2019UTS
DMN2020LSN
DMN2020UFCL