產品簡介
DIODES 的DMN2008LFU 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態電阻 (R DS(ON) )，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

產品規格 
品牌               DIODES
型號               DMN2008LFU
名稱               雙 N 溝道增強模式 MOSFET
產地               臺灣
封裝               U-DFN2030-6 (Type B)

產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 14.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 5.4 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 9.6 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 18.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 42.3 nC
CISS Typ (pF) 1418 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

主要特征
低導通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關速度快
ESD保護柵極

相關型號
DMN2005UFG
DMN2005UFGQ
DMN2005UPS
DMN2008LFU
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DMN2022UFDF
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DMN2024U