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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2013UFDE 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號： DMN2013UFDE

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2013UFDE
  • 名稱 N溝道MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2013UFDE

產(chǎn)品簡介
DIODES 的DMN2013UFDE 這款新一代 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合便攜式、電池組和其他電源管理功能。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2013UFDE
名稱               N溝道MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               U-DFN2020-6

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.5 A
PD @TA = +25°C (W) 2.03 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 11 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 13 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 30 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 14.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.8 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 2453 pF

 

主要特征
0.6mm輪廓–適用于低輪廓應(yīng)用
PCB占地面積4mm2
低柵極閾值電壓
ESD保護(hù)門


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