深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷
MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5*6 電壓：650V 電流：6A 碳化硅二極管
MSL06065G1，碳化硅二極管，耐壓650V，150℃連續(xù)正向電流6A，工作溫度范圍-55到175℃，正向壓降1.4V，并具有正溫度系數(shù)特性，可直接并聯(lián)使用。可應(yīng)用于開關(guān)電源，功率因數(shù)校正，馬達(dá)驅(qū)動(dòng)和氙氣燈照明應(yīng)用。
MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管產(chǎn)品特性：
650V肖特基整流器
更短的恢復(fù)時(shí)間
可實(shí)現(xiàn)高速切換
極高頻率
開關(guān)行為與溫度無關(guān)
切換速度極快
VF為正溫度系數(shù)
MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管產(chǎn)品優(yōu)勢：
更高的過電壓安全裕量
提高所有負(fù)載條件下的效率
與硅二極管相比提高了效率，降低了散熱器要求
無熱失控，可并聯(lián)
基本上沒有開關(guān)損耗。
應(yīng)用領(lǐng)域
開關(guān)電源
PFC電路
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
PD快充
充電樁
光伏逆變器。
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碳化硅材料優(yōu)點(diǎn)：
碳化硅材料有很多優(yōu)點(diǎn)，如禁帶寬度很大、臨界擊穿場強(qiáng)很高、熱導(dǎo)率很大、飽和電子漂移速度很高和介電常數(shù)很低如表 1-1。首先大的禁帶寬度，如 4H-SiC其禁帶寬度為 3.26 eV，是硅材料禁帶寬度的三倍多，這使得器件能耐高溫并且能發(fā)射藍(lán)光；高的臨界擊穿場強(qiáng)，碳化硅的臨界擊穿場強(qiáng) (2-4 MV/cm)很高，4H-SiC的臨界擊穿場強(qiáng)為 2.2 MV/cm，這要高出 Si 和 GaAs 一個(gè)數(shù)量級，所以碳化硅器件能夠承受高的電壓和大的功率；大的熱導(dǎo)率，熱導(dǎo)率是 Si 的 3.3 倍和 GaAs 的10 倍，熱導(dǎo)率大，器件的導(dǎo)熱性能就好，集成電路的集成度就可以提高，但散熱系統(tǒng)卻減少了，進(jìn)而整機(jī)的體積也大大減小了；高的飽和電子漂移速度和低的介電常數(shù)能夠允許器件工作在高頻、高速下。但是值得注意的是碳化硅具有閃鋅礦和纖鋅礦結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)中每個(gè)原子都被四個(gè)異種原子包圍，雖然 Si-C 原子結(jié)合為共價(jià)鍵，但硅原子 1.8 的負(fù)電性小于負(fù)電性為 2.6 的 C 原子，根據(jù) Pauling 公式，離子鍵合作用貢獻(xiàn)約占 12%，從而對載流子遷移率有一定的影響，據(jù)目前已發(fā)表的數(shù)據(jù)，各種碳化硅同素異形體中，輕摻雜的 3C-SiC 的載流子遷移率最高，與之相關(guān)的研究工作也較多，在較高純的 3C-SiC 中，其電子遷移率可能會(huì)超過 1000 cm/（V.s），最高的跟硅也有一定的差距。
與 Si 和 GaAs 相比，除個(gè)別參數(shù)外（遷移率），SiC 材料的電熱學(xué)品質(zhì)全面優(yōu)于 Si 和 GaAs 等材料，僅次于金剛石。因此碳化硅器件在高頻、大功率、耐高溫、抗輻射等方面具有巨大的應(yīng)用潛力，它可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為下一代電力電子器件。
