用于并聯(lián) SiC 電源模塊的 1200 V、1.33 mΩ、HM 高性能 62 mm、半橋右 GK
Wolfspeed 開發(fā)了 HM 功率模塊平臺，以在功率密度敏感的應(yīng)用中發(fā)揮碳化硅的優(yōu)勢，同時保持 62mm 模塊的基板兼容性。HM 平臺的碳化硅優(yōu)化封裝可實現(xiàn) 175°C 的連續(xù)結(jié)操作，并采用高可靠性氮化硅 (Si 3 N 4 ) 功率基板以確保極端條件下的機械魯棒性和輕質(zhì) AlSiC 基板。HM3 非常適合醫(yī)療電源、航空航天和牽引驅(qū)動等要求苛刻的應(yīng)用。
特征
- 高性能 62 毫米占地面積
- 低電感 (4.9 nH) 設(shè)計可實現(xiàn)高速開關(guān)和高效率并降低損耗
- 高結(jié)溫 (175 °C) 運行
- 可用于第二代和第三代 SiC MOSFET 的配置
- 輕質(zhì) AlSiC 基板
- 氮化硅絕緣體具有強大的熱循環(huán)能力
好處
- 輕的; 緊湊的外形和 62mm 兼容底板可實現(xiàn)系統(tǒng)改造
- 提高系統(tǒng)效率；由于碳化硅的低開關(guān)和傳導損耗
- 高可靠性材料選擇可實現(xiàn)高溫運行
應(yīng)用領(lǐng)域
- 鐵路與牽引
- 太陽能及可再生能源
- 電動汽車充電器
- 工業(yè)自動化與測試
- 醫(yī)療電源
- 電機驅(qū)動
