該評估板演示了采用半橋拓撲配置的 TO-247-4 封裝中的 650 V 60 mΩ 碳化硅 (SiC) C3M? MOSFET 的開關和熱性能。該板設計用于表征碳化硅 MOSFET 的E ON和 E OFF損耗以及穩態熱性能。該板可配置為在同步或異步模式下作為降壓或升壓轉換器運行。PCB 還支持用 TO-247-3 封裝組件替換 SiC MOSFET，以便對任一封裝進行評估。包含幾乎與硬件性能相匹配的寄生元件的完整 LTSpice 模型可供下載。
該設計允許測量：
- 時序（T延遲開啟；T延遲關閉；T上升；T下降）
- 過沖（V DS-Max；I D-Max）
- 速度（di/dt；dv/dt）
- 開關損耗（E ON；E OFF；E RR）
- 運行時效率高達 2.5kW
規格
- 最大直流輸入/輸出電壓 450V
- 最大功率為 2.5kW @ 100kHz（受板載電感器限制；使用備用電感器可實現更高級別）
- 兼容TO-247-4和TO-247-3 SiC MOSFET；
- 與 TO-247 和 TO-220 SiC 肖特基二極管兼容
- 每個 C3M SiC MOSFET 都有專用柵極驅動器和隔離電源
- 優化了示波器探頭測量漏極電流的位置；V GS ; 和 V DS和 I S
- 支持同步和異步降壓和升壓拓撲
- 套件包括兩個 SMA 轉 BNC 適配器，用于測量 V GS波形
- 包括散熱器；熱夾和隔離熱墊
應用領域
- 工業電源
- 服務器/電信
- 電動汽車充電系統
- 儲能系統（ESS）
- 不間斷電源 (UPS)
包含什么
- 評估板
- 原理圖
- PCB設計文件
- 材料清單
- 應用說明
- LTSpice 模型詳解
- 快速入門視頻
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