--- 產品參數 ---
- 最小頻率 7.9GHz
- 最大頻率 8.4GHz
- 工作電壓 40V
--- 產品詳情 ---
50-W;7.9 – 9.6 GHz;50歐姆;輸入/輸出匹配 GaN HEMT
Wolfspeed 的 CGHV96050F1 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術相比,這種 GaN 內部匹配 (IM) FET 具有出色的功率附加效率。與硅或砷化鎵相比,GaN具有更優越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。與 GaAs 晶體管相比,GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該 IM FET 采用金屬/陶瓷法蘭封裝,可實現最佳電氣和熱性能。
特征
- 7.9 – 8.4 GHz 運行
- 80 W POUT(典型值)
- >13 dB 功率增益
- 33% 典型線性 PAE
- 50 歐姆內部匹配
- <0.1 dB 功率下降
應用領域
- 衛星通訊
- 地面寬帶
CMPA5585030F-AMP
CMPA5585030F
CMPA5585030D
CGHV96050F1-AMP
CGHV96050F1
CMPA1H1J050F-AMP
CMPA1H1J050F
CGHV50200F-AMP
CGHV50200F
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