高功率 RF LDMOS FET 1000 W；50V；1030 / 1090 兆赫

PTVA101K02EV LDMOS FET 設計用于 1030 MHz / 1090 MHz 頻段的功率放大器應用。其特點包括具有螺栓固定法蘭的高增益和耐熱增強型封裝。采用Wolfspeed先進的LDMOS工藝制造；該器件提供出色的熱性能和卓越的可靠性。

特征

• 寬帶輸入匹配
• 高增益、高效率
• 集成 ESD 保護
• 人體模型 2 級（根據 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
• 低熱阻
• 無鉛且符合 RoHS 標準
• 在 MODE-S 脈沖條件下能夠承受 1000 W 的 10:1 負載失配（所有相位角）；（32μS 開啟/18μS 關閉）X 80；LTDF = 6.4%。

應用領域

• 1030 至 1090 MHz 頻段的功率放大器

PTVA030121EA-V1

PTVA120252MT-V1

PTVA120251EA-V2

PTVA120501EA-V1

PTVA123501FC-V1

PTVA123501EC-V2

PTVA104501EH-V1

PTVA035002EV-V1

GTVA126001EC-V1

GTVA126001FC-V1

GTVA107001FC-V1

GTVA107001EC-V1

PTVA127002EV-V1

GTVA107001EFC-V1

PTVA047002EV-V1

CGHV14800F1

CGHV14800F-AMP

CGHV14800F

PTVA101K02EV-V1

LTN/GTVA101K42EV-V1

GTVA101K42EV-V1