--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 耗散功率 1.81 W
- 工作溫度 -40℃ ~ 85℃
--- 產(chǎn)品詳情 ---
HMC1082芯片是一款砷化鎵(GaAs)、單片微波集成電路(MMIC)、贗晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)驅(qū)動(dòng)放大器,工作頻率范圍為5.5 GHz至18 GHz。HMC1082CHIP芯片提供24 dB的典型增益、36 dBm的輸出IP3和25.5 dBm的輸出功率以實(shí)現(xiàn)1 dB壓縮,采用5 V電源電壓時(shí)功耗僅為220 mA。飽和輸出功率(P(美國(guó))學(xué)業(yè)能力傾向測(cè)驗(yàn)(Scholastic Aptitude Test))為26 dBm,功率附加效率(PAE)為24%。
HMC1082CHIP是一款理想的驅(qū)動(dòng)放大器,適合各種應(yīng)用,包括5.5 GHz至18 GHz點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無線電和9 GHz船用雷達(dá)。HMC 1082芯片還可用于6 GHz至18 GHz EW和ECM應(yīng)用。
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高飽和輸出功率:26 dBm,24% PAE
高增益:典型值24 dB
高輸出IP3: 36 dBm(典型值)
高輸出P1dB: 25.5 dBm
模具尺寸:2.19毫米× 1.05毫米× 0.1毫米
應(yīng)用程序
軟件定義無線電
電子戰(zhàn)
雷達(dá)應(yīng)用
電子對(duì)抗(ECM)
以下均為相關(guān)器件:
HMC1082LP4E
HMC1082LP4ETR
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HMC1019LP4ETR
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HMC1023LP5E
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