AP4435C -30v的耐壓p型mos管絲印:4435-銓力mos管

型號(hào)： AP4435C

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌銓力
型號(hào) AP4435C
封裝 SOP-8
電壓 -30v
電流 -20a

--- 產(chǎn)品詳情 ---

供應(yīng)AP4435C -30v的耐壓p型mos管絲印:4435，銓力MOS管廣泛應(yīng)用于汽車電子、BMS、PD電源、工業(yè)、SMPS、 DC-DC、電動(dòng)工具、儲(chǔ)能、小家電、BMS、車載充電、EV Charger等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向ALLPOWER 銓力半導(dǎo)體代理驪微電子申請(qǐng)。>>

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viper12a 電源控制芯片
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受多重因素影響，芯片的供應(yīng)緊張仍未緩解，在缺“芯”困局之下，國(guó)產(chǎn)替代的呼聲愈發(fā)高漲，許多國(guó)產(chǎn)廠商選擇“PINtopin”的替代模式入局，驪微電子代理的啟達(dá)啟臣微CR1252A電源驅(qū)動(dòng)芯片可代替ncp1252A芯片。ncp1252a代替芯片CR1252A特征■SOP-8L封裝■內(nèi)置軟啟動(dòng)■內(nèi)置斜波補(bǔ)償■峰值電流限制■內(nèi)置輸入欠壓自動(dòng)恢復(fù)■內(nèi)置LEB前沿消隱功能

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IR2110國(guó)產(chǎn)替代芯片ID7S625高壓逆變器驅(qū)動(dòng)芯片方案2022-07-30 16:06

常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)方式有非隔離的直接驅(qū)動(dòng)、自舉驅(qū)動(dòng)，和有隔離的變壓器驅(qū)動(dòng)、光耦隔離驅(qū)動(dòng)等，ir2110驅(qū)動(dòng)芯片替代料ID7S625高壓高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，廣泛應(yīng)用于DCDC轉(zhuǎn)換器、功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)、DC/AC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。ir2110替代芯片ID7S625特征■芯片工作電壓范圍10V~20V■輸入邏輯兼容3.3

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65W PD快充方案PN8213+PN8307小體積低功耗2022-06-10 17:06

65WPD快充方案不但可以支持手機(jī)的大功率快速充電還可以支持20V輸出，可以為電腦充電，具有通用性好的優(yōu)點(diǎn)，搭配氮化鎵，體積可以做到很小，驪微電子推出65w快充方案PN8213+PN8307P+AP2080，具有小體積、大功率、高效率、超低待機(jī)功耗等特點(diǎn)，足以應(yīng)對(duì)目前市場(chǎng)對(duì)65WPD快充的需求。PN8213內(nèi)置800V高壓?jiǎn)?dòng)管和X電容放電功能，專用于高性能的快速充電開(kāi)關(guān)電源，待機(jī)功耗小于50mW

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自從iPhone12系列手機(jī)取消標(biāo)配充電器以來(lái)，各大手機(jī)品牌紛紛跟進(jìn)，目前Apple手機(jī)/平板電腦等多種數(shù)碼產(chǎn)品充電功率需求進(jìn)一步提升，20W快充已經(jīng)無(wú)法滿足快速充電需求，30WPD快充成了繼20WPD快充之后的另一大潛力市場(chǎng)，驪微電子推出基于PN8165+PN8307H的30W小體積PD快充參考設(shè)計(jì)，以滿足快充市場(chǎng)需求！30WPD套片方案：主控芯片采用PN8165，次級(jí)同步采用PN8307H(A

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pn8015 5V0.2A非隔離開(kāi)關(guān)電源風(fēng)扇方案 2022-01-12 11:44

PN8015集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，輸出電壓可通過(guò)FB電阻調(diào)整3.3V~24V，用于外圍元器件極精簡(jiǎn)的小功率非隔離開(kāi)關(guān)電源。PN80155V0.2A風(fēng)扇方案：■輸入電壓：90~265V■輸出功率：≤1W■輸出電壓電流:5V/0.2A■擁有可恢復(fù)短路保護(hù)，輸出過(guò)載保護(hù)。在啟動(dòng)階段，內(nèi)部高壓?jiǎn)?dòng)管提供2.5mA電流對(duì)外部VDD電容進(jìn)行充電；當(dāng)VDD電壓達(dá)到13.5V，

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