--- 產品參數 ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMN2990UFZ
- 名稱 N溝道MOSFET
- 產地 臺灣
- 封裝 X2-DFN0606-3
--- 產品詳情 ---
產品簡介
DIODES 的 DMN2990UFZ 這種MOSFET被設計為最小化導通電阻(RDS(ON)),同時保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應用。
產品規格
品牌 DIODES
型號 DMN2990UFZ
名稱 N溝道MOSFET
產地 臺灣
封裝 X2-DFN0606-3
產品參數
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.25 A
PD @TA = +25°C (W) 0.32 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 990 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1200 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1800 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.5 nC
CISS Typ (pF) 28 pF
主要特征
低封裝外形,最大封裝高度0.42mm
0.62mm x 0.62mm封裝外形
低導通電阻
極低柵極閾值電壓,最大1.0V
ESD保護門
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