--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMN2992UFB4Q
- 名稱 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 X2-DFN1006-3
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN2992UFB4Q 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時(shí)保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN2992UFB4Q
名稱 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 X2-DFN1006-3
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.83 A
PD @TA = +25°C (W) 1.02 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 990 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1200 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1800 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.41 nC
CISS Typ (pF) 15.6 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V
主要特征
占位面積僅為 0.6mm 2 – 比 SOT23 小十三倍
4 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
低柵極閾值電壓
開關(guān)速度快
相關(guān)型號(hào)
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上傳時(shí)間:2024-11-15 16:02
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