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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMP10H400SK3 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMP10H400SK3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMP10H400SK3
  • 名稱 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TO252 (DPAK)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP10H400SK3

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMP10H400SK3 這款新一代 100V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合 DC/DC 電源管理和主板/服務(wù)器應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMP10H400SK3
名稱                P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                 臺(tái)灣
封裝                 TO252 (DPAK)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 9 A
PD @TC = +25°C (W) 42 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 240 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 300 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 17.5 nC
CISS Typ (pF) 1239 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容

 

相關(guān)型號(hào)
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DMNH6069SFVWQ
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DMP1008UCB9
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