--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMP2900UFBQ
- 名稱 P 溝道增強型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 X1-DFN1006-3
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP2900UFBQ 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(on) ),同時保持卓越的開關性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMP2900UFBQ
名稱 P 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 X1-DFN1006-3
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.99 A
PD @TA = +25°C (W) 1.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 750 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1050 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1500 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.7 nC
CISS Typ (pF) 49 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V
主要特征
6mm 2占板面積 — 比 SOT23 小十三倍
低柵極閾值電壓
開關速度快
ESD保護柵極
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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