--- 產品參數 ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMP3007SCG
- 名稱 30V P 溝道增強型 MOSFET
- 產地 臺灣
- 封裝 V-DFN3333-8 (Type B)
--- 產品詳情 ---
產品簡介
DIODES 的 DMP3007SCG 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) ),同時保持卓越的開關性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
產品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMP3007SCG
名稱 30V P 溝道增強型 MOSFET
產地 臺灣
封裝 V-DFN3333-8 (Type B)
產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 50 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 6.8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 13 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 31.2 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 64.2 nC
CISS Typ (pF) 2826 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
低 R DS(ON) – 確保導通狀態(tài)損耗最小化
小外形熱效率封裝可實現更高密度的最終產品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%,從而實現更小的最終產品
HBM ESD 保護等級典型值為 8kV
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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