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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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DMP3021SPSW 30V P 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMP3021SPSW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP3021SPSW
  • 名稱 30V P 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP3021SPSW 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP3021SPSW 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS ( on ) )，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMP3021SPSW
名稱                  30V P  溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  PowerDI?5060-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.6 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 56.7 A
PD @TA = +25°C (W) 2.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 15 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 25(@5V) mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 17.4(@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 34 nC
CISS Typ (pF) 1799 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低導通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
<1.1mm 封裝外形 - 薄型應用的理想選擇


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