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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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DMP6023LEQ P 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMP6023LEQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMP6023LEQ
  • 名稱 P 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT223

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP6023LEQ  

 產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMP6023LEQ 這種MOSFET被設計為最小化導通電阻(RDS(ON)),同時保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMP6023LEQ
名稱                  P 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  SOT223


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7 A
PD @TA = +25°C (W) 2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 28 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 35 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 26.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 53.1 nC
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
低導通電阻
快速切換速度
低閾值
低門驅(qū)動器
低輸入電容


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