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DMPH1006UPSQ 12V 175°C P 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMPH1006UPSQ

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMPH1006UPSQ
  • 名稱 12V 175°C P 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 PowerDI5060-8

--- 產品詳情 ---

DMPH1006UPSQ  

產品簡介
DIODES 的 DMPH1006UPSQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應用的嚴格要求。它符合 AEC-Q101 標準并得到 PPAP 支持。

 

產品規格 
品牌                  DIODES
型號                  DMPH1006UPSQ
名稱                  12V 175°C P 溝道增強型 MOSFET
產地                  臺灣
封裝                  PowerDI5060-8


產品參數
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 80 A
PD @TA = +25°C (W) 3.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 8 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 72 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 124 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 6334 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環境溫度環境的理想選擇
100% 非鉗位感應開關 – 確保更可靠、更穩健的最終應用
高轉換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少通態損耗
低輸入電容
開關速度快


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