產品簡介
DIODES 的 DMT12H007LPS 描述和應用 該 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

產品規格 
品牌                  DIODES
型號                  DMT12H007LPS
名稱                 120V N 溝道增強型 MOSFET
產地                  臺灣
封裝                  PowerDI?5060-8

產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 120 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 90 A
PD @TA = +25°C (W) 2.9 W
PD @TC = +25°C (W) 96 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 7.8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 14.1 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 49 nC
CISS Typ (pF) 3224 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 60 V

主要特征
生產中 100% 非鉗位電感開關 (UIS) 測試 – 確保最終應用更加可靠和穩健
熱效率高的封裝 – 運行溫度更低的應用
高轉換效率
低 RDS(ON) – 最大限度地減少通態損耗
<1.1mm 封裝外形 – 薄型應用的理想選擇

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