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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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DMTH10H072LPS 100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMTH10H072LPS

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH10H072LPS
  • 名稱 100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®5060-8

--- 產品詳情 ---

DMTH10H072LPS 

產品簡介
DIODES 的 DMTH10H072LPS 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同時保持卓越的開關性能。該器件非常適合用于筆記本電腦電池電源管理和負載開關。

 

產品規格 
品牌                  DIODES
型號                  DMTH10H072LPS
名稱                  100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產地                  臺灣
封裝                   PowerDI?5060-8

 

產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 20 A
PD @TA = +25°C (W) 3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 57 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 96 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 2.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 5.1 nC
CISS Typ (pF) 266 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環境溫度環境的理想選擇
100% 非鉗位感應開關 – 確保更可靠、更穩健的最終應用
高轉換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少狀態損失


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