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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMTH10H2M5STLW 100V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMTH10H2M5STLW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMTH10H2M5STLW
  • 名稱(chēng) 100V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 POWERDI®1012-8 (TOLL)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH10H2M5STLW 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH10H2M5STLW 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少(R DS(ON) )， 同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。該器件非常適合用于電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMTH10H2M5STLW
名稱(chēng)                  100V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                   POWERDI?1012-8 (TOLL)

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 248 A
PD @TA = +25°C (W) 5.8 W
PD @TC = +25°C (W) 230.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 2.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 124.4 nC
CISS Typ (pF) 8450 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)中 100% 非鉗位電感開(kāi)關(guān) (UIS) 測(cè)試 
高轉(zhuǎn)換效率
低 (R DS(ON) ) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
用于改進(jìn)光學(xué)檢測(cè)的可潤(rùn)濕側(cè)面


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