--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) NMSD200B01
- 名稱 肖特基二極管 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 SOT-363
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 NMSD200B01NMSD200B01提高了DC-DC的效率和可靠性電壓調(diào)節(jié)器模塊(VRM)中使用的控制器支持200mA的連續(xù)最大電流。它具有ESD功能受保護(hù)的離散N-MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻和離散具有低正向壓降的肖特基二極管。
該設(shè)備減少了組件數(shù)量,占用的空間更少,并且最大限度地減少寄生損耗。組件設(shè)備可以用作電路的一部分或作為獨(dú)立的分立設(shè)備。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) NMSD200B01
名稱 肖特基二極管 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 SOT-363
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+SKY
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
PD @TA = +25°C (W) 0.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 2000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 3000@5V mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
CISS Typ (pF) <=50 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V
主要特征
帶ESD柵極保護(hù)的N-MOSFET
具有低導(dǎo)通電阻(RDS(On))的N-MOSFET
低Vf肖特基二極管
低靜態(tài)、開關(guān)和傳導(dǎo)損耗
良好的動(dòng)態(tài)性能
適用于自動(dòng)裝配的表面安裝封裝
相關(guān)型號(hào)
MMBF170
MMBF170Q
NMSD200B01
VN10LF
VN10LP
ZVN0124A
ZVN0545A
ZVN0545G
ZVN2106A
ZVN2106G
ZVN2110A
ZVN2110G
ZVN2120G
ZVN3306A
ZVN3306F
ZVN3310A
ZVN3310F
ZVN3320F
ZVN4106F
ZVN4206A
ZVN4206AV
ZVN4206G
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上傳時(shí)間:2024-11-15 16:02
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