--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) ZXMC3AMC
- 名稱 30V 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 DFN3020B-8
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXMC3AMC該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(on) ),同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) ZXMC3AMC
名稱 30V 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 DFN3020B-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30, 30 V
|VGS| (±V) 20, 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.7, 2.7 A
PD @TA = +25°C (W) 2.45 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 120, 210 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 180, 330 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3, 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 2.3, 3.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 3.9, 6.4 nC
CISS Typ (pF) 190, 206 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15, 15 V
主要特征
適用于精簡(jiǎn)應(yīng)用程序的薄型封裝
低RθJA,熱效率封裝6mm2
占地面積,比TSOP6和SOT23-6小50%
低導(dǎo)通電阻
切換速度快
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上傳時(shí)間:2024-11-15 16:02
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