STM32H725ZGT6，ST/意法半導體，Arm?Cortex?-M7 32位550 MHz MCU，最高1 MB閃存，
564 KB，RAM、以太網(wǎng)、USB、3個FD-CAN、圖形、2個16位ADC
STM32H725ZGT6，V 18664341585,ST/意法半導體，Arm?Cortex?-M7 32位550 MHz MCU，最高1 MB閃存，
564 KB，RAM、以太網(wǎng)、USB、3個FD-CAN、圖形、2個16位ADC
STM32H725xE/G設備基于高性能Arm?Cortex?-M7 32位
RISC核心，工作頻率高達550 MHz。Cortex?-M7核心采用浮點單元
（FPU），支持Arm?雙精度（符合IEEE 754標準）和單精度
數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型。Cortex-M7內(nèi)核包含32 KB的
指令高速緩存和32K字節(jié)的數(shù)據(jù)高速緩存。STM32H725xE/G設備支持全套
DSP指令和存儲器保護單元（MPU），以增強應用程序的安全性。
STM32H725xE/G設備包含高達1M字節(jié)的高速嵌入式存儲器
閃存，最高564 KB的RAM（包括可共享的192 KB
在ITCM和AXI之間，加上64K字節(jié)專用ITCM，加上128K字節(jié)專用AXI，
128 KB DTCM、48 KB AHB和4 KB備份RAM），以及大量
連接到APB總線、AHB總線、2x32位的一系列增強型I/O和外圍設備
多AHB總線矩陣和多層AXI互連
?高級外圍設備，包括
–靈活的存儲器控制（FMC）接口
–兩個Octo SPI內(nèi)存接口
–用于CMOS傳感器的攝像頭接口
–LCD-TFT顯示控制器
有關外圍設備列表，請參閱表2:STM32H725xE/G功能和外圍設備計數(shù)
每個零件號上都有。
為了降低功耗，STM32H2725xE/G包括可選的降壓
轉(zhuǎn)換器，可用于內(nèi)部或外部電源，或兩者兼而有之。
STM32H2725xE/G設備在–40至+125°C的環(huán)境溫度范圍內(nèi)運行
1.62至3.6 V電源。通過使用
外部電源監(jiān)控器（見第3.7.2節(jié)：電源監(jiān)控器），并連接
PDR_ON引腳至VSS。否則，電源電壓必須保持在1.71 V以上
嵌入式電源電壓檢測器啟用。
USB專用電源輸入可供選擇，提供更多電源。
一套全面的節(jié)能模式允許設計低功耗應用程序
高達1兆字節(jié)的嵌入式閃存
電子控制
?SRAM：總共564 KB，全部帶有ECC，包括
128 KB的數(shù)據(jù)TCM RAM，用于關鍵實時
數(shù)據(jù)+432 KB的系統(tǒng)RAM（最多
256 KB可以在指令TCM上重新映射
關鍵實時指令的RAM）+
4 KB的備份SRAM（可在
最低功率模式）
?具有高達
24位數(shù)據(jù)總線：SRAM、PSRAM、，
SDRAM/LPSDR SDRAM，NOR/NAND
回憶
?2個帶XiP的Octo SPI接口
?2個SD/SDIO/MMC接口
?引導程序
圖樣
?Chrom ART Accelerator圖形硬件
加速功能增強的圖形用戶
減少CPU負載的接口
?支持高達XGA的LCD-TFT控制器
決議
時鐘、復位和電源管理
?1.62 V至3.6 V應用電源和I/O
?POR、PDR、PVD和BOR
?專用USB電源
?嵌入式DCDC和LDO調(diào)節(jié)器
（*）VFQFPN68變體僅限D(zhuǎn)CDC
?內(nèi)部振蕩器：64 MHz HSI，48 MHz
HSI48、4 MHz CSI、32 kHz LSI
?外部振蕩器
