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ZXT10P20DE6Q 20V PNP 低飽和 晶體管

型號: ZXT10P20DE6Q

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 ZXT10P20DE6Q
  • 名稱 20V PNP 低飽和 晶體管
  • 產地 臺灣
  • 封裝 SOT26

--- 產品詳情 ---

ZXT10P20DE6Q  

產品簡介
DIODES 的ZXT10P20DE6Q這種雙極結型晶體管(BJT)設計用于滿足汽車應用的嚴格要求。


產品規格  
品牌                    DIODES
型號                    ZXT10P20DE6Q
名稱                    20V PNP 低飽和 晶體管
產地                    臺灣
封裝                    SOT26

 

產品參數
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity PNP
VCEO, VCES (V) 20
IC (A) 2.5
ICM (A) 6
PD (W) 1.1
hFE (Min) 300
hFE (@ IC) (A) 0.1
hFE(Min 2) 150
hFE (@ IC2) (A) 2
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV) 250
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 1.5/50
fT (MHz) 180
RCE(sat) (mΩ) 96

 

主要特征
BV首席執行官> -20V
I C = -2.5A 連續集電極電流
I CM = -6A 峰值脈沖電流
R CE(sat) = 96mΩ,可實現低等效導通電阻
低飽和電壓(-220mV max @ -1A)
h FE特性高達 -6A,可實現高電流增益保持

 

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