SI1967DH-T1-GE3詳細參數說明 - 極性 2個P溝道 - 額定電壓 -20V - 額定電流 -1.5A - 導通電阻 230mΩ @ 4.5V, 276mΩ @ 2.5V - 門源電壓 12Vgs (±V) - 閾值電壓 -0.6~-2Vth (V) - 封裝類型 SC70-6 應用簡介 SI1967DH-T1-GE3是一款雙P溝道MOSFET，具有負的額定電壓和額定電流，適合在各種電源管理和功率放大器應用中使用。它的導通電阻適中且具有較高的性能特性，能夠提供可靠而高效的電流開關功能。 該器件通過控制12Vgs (±V)的門源電壓，實現開關管的導通和截止，實現電流的控制和開關的狀態轉換。它的導通電阻較低能夠降低功率損耗，提高系統效率。 SI1967DH-T1-GE3采用SC70-6封裝，封裝小巧，適合在空間有限的應用場景中使用。 該器件廣泛應用于電源開關、電源逆變器、電機驅動器等領域。由于其雙P溝道的特性，它可以用于控制和開關負電壓的電路，非常適用于負電源應用的需要。在這些領域中，SI1967DH-T1-GE3能夠提供可靠的功率開關控制，實現高效能的電流傳輸和開關操作。 總之，SI1967DH-T1-GE3是一款雙P溝道MOSFET，適用于電源管理和功率放大器的各種應用模塊中，特別是在電源開關、電機驅動器等領域，以及需要控制和開關負電壓的電路場景中。
--- 產品參數 ---
- 極性 2個P溝道
- 額定電壓 -20V
- 額定電流 -1.5A
- 導通電阻 230mΩ @ 4.5V, 276mΩ @ 2.5
- 封裝類型 SC70-6
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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