描述

TLC6C598-Q1是一款單芯片、中壓、低電流、8位移位寄存器，設計用于要求相對中等負載功率的系統，如led。該器件包含一個8位串行輸入并行輸出移位寄存器，該寄存器為一個8位D型存儲寄存器提供數據。數據分別在移位寄存器時鐘(SRCK)和寄存器時鐘(RCK)的上升沿通過移位寄存器和存儲寄存器傳輸。當移位寄存器清零(CLR)為高電平時，存儲寄存器將數據傳輸到輸出緩沖器。CLR為低電平時，器件中的所有寄存器清零。保持輸出使能(G)為高電平，輸出緩沖器中的所有數據保持低電平，所有漏極輸出關閉。保持G低電平可使存儲寄存器中的數據對輸出緩沖器透明。當輸出緩沖器中的數據為低電平時，DMOS晶體管輸出關閉。當數據為高電平時，DMOS晶體管輸出具有吸電流能力。串行輸出(SER OUT)在SRCK的下降沿從器件輸出，為級聯應用提供額外的保持時間。這為時鐘信號可能偏斜、器件位置不靠近或系統必須耐受電磁干擾的應用提供了更高的性能。該器件內置熱關斷保護。輸出為低端開漏DMOS晶體管，當Vcc = 5 V時，輸出額定值為40 V，具有50 mA連續吸電流能力，限流隨著結溫的升高而降低，以提供額外的器件保護。使用人體模型測試時，該器件還提供高達2000 V的ESD保護；使用機器模型測試時，該器件提供高達200 V的ESD保護。TLC6C598-Q1特性適用于40°C至125°C的工作環境溫度范圍

TLC6C598-Q1是一款單芯片、中壓、低電流、8位移位寄存器，設計用于要求相對中等負載功率的系統，如led。該器件包含一個8位串行輸入并行輸出移位寄存器，該寄存器為一個8位D型存儲寄存器提供數據。數據分別在移位寄存器時鐘(SRCK)和寄存器時鐘(RCK)的上升沿通過移位寄存器和存儲寄存器傳輸。當移位寄存器清零(CLR)為高電平時，存儲寄存器將數據傳輸到輸出緩沖器。CLR為低電平時，器件中的所有寄存器清零。保持輸出使能(G)為高電平，輸出緩沖器中的所有數據保持低電平，所有漏極輸出關閉。保持G低電平可使存儲寄存器中的數據對輸出緩沖器透明。當輸出緩沖器中的數據為低電平時，DMOS晶體管輸出關閉。當數據為高電平時，DMOS晶體管輸出具有吸電流能力。串行輸出(SER OUT)在SRCK的下降沿從器件輸出，為級聯應用提供額外的保持時間。這為時鐘信號可能偏斜、器件位置不靠近或系統必須耐受電磁干擾的應用提供了更高的性能。該器件內置熱關斷保護。輸出為低端開漏DMOS晶體管，當Vcc = 5 V時，輸出額定值為40 V，具有50 mA連續吸電流能力，限流隨著結溫的升高而降低，以提供額外的器件保護。使用人體模型測試時，該器件還提供高達2000 V的ESD保護；使用機器模型測試時，該器件提供高達200 V的ESD保護。TLC6C598-Q1特性適用于40°C至125°C的工作環境溫度范圍

 

特性

符合汽車應用要求
AEC-Q100符合以下結果:
設備溫度等級1:–40°C至125°C環境工作溫度范圍
器件HBM ESD分類等級H2
設備CDM ESD分類等級C3B

3 V至5.5 V的寬Vcc
輸出最大額定值為. 40 V
8路功率DMOS晶體管輸出，50毫安連續電流，VCC = 5伏
熱關斷保護
多級增強級聯
所有寄存器通過單輸入清零
低功耗
緩慢的開關時間(tr和tf)，有助于顯著降低EMI
16引腳TSSOP-PW封裝
16引腳SOIC D封裝