型號 SI2323DST1GE3絲印 VB2355品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 5.6A 導通電阻 47mΩ @10V, 56mΩ @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1Vth 封裝 SOT23應用簡介 SI2323DST1GE3 是一款 P 溝道 MOSFET，適用于負電壓控制和負載開關的應用。其最大耐壓為30V，最大電流為5.6A，具有低導通電阻和高性能。該器件適用于多個領域的模塊設計，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于負責電源開關和負載開關控制的電源管理模塊。2. 轉換器模塊 可用于負責負電壓轉換和逆變的轉換器模塊。3. 便攜式設備 適用于便攜式電子設備中的負載開關和電源控制。總之，SI2323DST1GE3 適用于負電壓控制和負載開關的應用領域的模塊設計，主要用于電源管理、轉換器模塊和便攜式設備等領域。
--- 產品參數 ---
- 類型 P溝道
- 最大耐壓 30V
- 最大電流 5.6A
- 導通電阻 47mΩ @10V, 56mΩ @4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 1Vth
- 封裝 SOT23
--- 產品詳情 ---
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