--- 產品參數 ---
- 溝道類型 N溝道
- 最大耐壓 60V
- 最大持續電流 0.3A
- 開通電阻 2800mΩ @ 10Vgs、3000mΩ @ 4.5Vgs
- 閾值電壓 1.6V
- 封裝類型 SOT23
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號 2N7002ET1G-VB
絲印 VB162K
品牌 VBsemi
參數
溝道類型 N溝道
最大耐壓 60V
最大持續電流 0.3A
開通電阻(RDS(ON)) 2800mΩ @ 10Vgs、3000mΩ @ 4.5Vgs
閾值電壓(Vth) 1.6V
封裝類型 SOT23
應用簡介
2N7002ET1G-VB是一款小功率N溝道MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),適用于低功率電子應用。以下是它的一些主要應用領域
1. 信號開關 這款MOSFET可以用于信號開關電路,例如在通信設備、音頻放大器和控制電路中,用于控制和管理信號通路。
2. 電源開關 在低功率電源管理模塊中,2N7002ET1G-VB可以用于電源開關,用于控制電路的通斷狀態,以提供電源管理功能。
3. 電路保護 它還可用于電路保護,例如在過電流保護和過溫度保護電路中,用于確保電路的安全性和穩定性。
4. 邏輯電平轉換 由于其低閾值電壓,這款MOSFET可以用于邏輯電平轉換,將不同電平的信號轉換為兼容的電平,例如在微控制器和數字電路中。
總之,2N7002ET1G-VB是一款適用于低功率電子應用的N溝道MOSFET,特別適用于信號開關、電源開關、電路保護和邏輯電平轉換等領域。它的低電流和低電壓特性使其成為小型電子設備中的常見元件。
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