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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NTGS4141NT1G-VB-SOT23-6封裝N溝道MOSFET

型號(hào): NTGS4141NT1G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最大耐壓 30V
  • 最大電流 6A
  • 靜態(tài)開啟電阻 30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V
  • 門源極電壓 20V (±V)
  • 閾值電壓 1.2V
  • 封裝類型 SOT23-6

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào):NTGS4141NT1G-VB
絲印:VB7322
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 類型:N溝道
- 最大耐壓:30V
- 最大電流:6A
- 靜態(tài)開啟電阻 (RDS(ON)):30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓 (Vgs):20V (±V)
- 閾值電壓 (Vth):1.2V
- 封裝類型:SOT23-6

應(yīng)用簡介:
NTGS4141NT1G-VB是一款N溝道MOSFET,適用于多種低至中等功率電子應(yīng)用,以下是一些可能的應(yīng)用領(lǐng)域:

1. 電源模塊:這款MOSFET可用于小型電源模塊中的功率開關(guān),幫助提高電源管理的效率,適用于便攜式設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)和電源逆變器。

2. DC-DC轉(zhuǎn)換器:NTGS4141NT1G-VB可以用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中,將一個(gè)電壓轉(zhuǎn)換成另一個(gè)電壓,適用于電池驅(qū)動(dòng)的設(shè)備、電子終端和通信設(shè)備。

3. 電池管理:它還可以用于電池管理系統(tǒng)中,控制電池的充電和放電,確保電池的安全和性能。

4. 低功耗電子:由于其低導(dǎo)通電阻和適中的電流承受能力,適用于需要低功耗操作的電子設(shè)備,如傳感器節(jié)點(diǎn)、便攜式醫(yī)療設(shè)備和無線通信模塊。

5. 模擬電路:在一些模擬電路中,如信號(hào)放大器和濾波器,可以使用NTGS4141NT1G-VB來實(shí)現(xiàn)精確的信號(hào)控制。

這款MOSFET的特性使其適用于多種低至中等功率電子應(yīng)用,尤其是在有限的空間內(nèi)需要高性能的情況下。然而,在選擇和使用該器件時(shí),仍然需要詳細(xì)了解其數(shù)據(jù)手冊(cè)和性能參數(shù),以確保其滿足特定應(yīng)用的要求。
 

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