--- 產品參數 ---
- 溝道類型 P溝道
- 額定電壓 -30V
- 額定電流 -5.2A
- 導通電阻 33mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓范圍 ±20V
- 閾值電壓 1~3V
- 封裝類型 TSSOP8
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號 SI6913DQ-T1-GE3-VB
絲印 VBC6P3033
品牌 VBsemi
參數
溝道類型 P溝道
額定電壓 -30V
額定電流 -5.2A
導通電阻 33mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V
門源極電壓范圍 ±20V
閾值電壓 1~3V
封裝類型 TSSOP8
應用簡介
SI6913DQ-T1-GE3-VB是一款P溝道功率MOSFET,適用于各種電路模塊中的功率開關和電路控制應用。由于其低導通電阻和低閾值電壓,使其特別適用于需要在低電壓和高電流條件下工作的應用。
具體應用領域模塊如下
1. 電源模塊 SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作電源模塊中的功率開關,用于控制電源的開關和調節功率的大小。
2. 電動工具模塊 在電動工具中,SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作電機驅動器,控制電動工具的功率輸出和運行狀態。
3. LED照明模塊 SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作LED照明模塊中的開關器,控制LED的亮度和開關。
4. 電動車輛模塊 在電動車輛中,SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作電機驅動器,控制電動車輛的動力輸出和控制。
5. 手持設備模塊 在手持設備中,SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作電源管理模塊,控制電池的供電和功耗管理。
總之,SI6913DQ-T1-GE3-VB適用于各種需要功率開關和電路控制的應用中,特別適用于低電壓和高電流條件下的模塊。
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