TC2281 低噪聲高動態范圍 GaAs FET

FET GaAs 晶體管

型號： TC2281

--- 產品參數 ---

廠家 Sumitomo
型號 TC2281
名稱砷化鎵HEMT
產地日本
封裝 Ceramic micro-X

--- 產品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的TC2281是一種高性能場效應晶體管，與TC1201一起封裝在陶瓷micro-x封裝中PHEMT芯片。它可以用于頻率高達24GHz或更高的應用。它的噪音很低數字，高相關增益和高動態范圍，使該設備適合在低噪聲中使用放大器。所有設備都經過100%直流測試，以確保質量一致。

型號規格
廠家 Sumitomo
型號 TC2281
名稱砷化鎵HEMT
產地日本
封裝 Ceramic micro-X

型號參數
0.5 dB 12 GHz時的典型噪聲系數
高相關增益：Ga=12 dB，典型頻率為12 GHz
221.5 dBm 12 GHz時的典型功率
112 dB 12 GHz下的典型線性功率增益
擊穿電壓：BVDGO≥9 V
LLg=0.25μm，Wg=300μm
嚴密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
1100%直流測試
MMicro-X金屬陶瓷封裝
適用于24GHz或更高的頻率

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