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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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TC1501 1W高線性高效率GaAs功率場效應(yīng) 晶體管

型號： TC1501

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo
  • 型號 TC1501
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 Chip

--- 產(chǎn)品詳情 ---

TC1501 

型號簡介
Sumitomo的TC1501是GaAs偽晶高電子遷移率晶體管（PHEMT），具有高線性和高功率附加效率。該裝置采用適當(dāng)?shù)耐坠に囘M(jìn)行處理，提供了低成本熱阻和低電感。短的柵極長度使該器件能夠在高達(dá)20GHz的電路中使用。所有設(shè)備都經(jīng)過100%直流測試，以確保質(zhì)量一致。焊盤為鍍金熱壓或熱聲引線接合。背面鍍金與標(biāo)準(zhǔn)AuSn兼容模具連接。典型的應(yīng)用包括商用高性能功率放大器。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo 
型號                    TC1501
名稱                    砷化鎵HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    Chip
 

型號參數(shù)
1W 6時的典型功率
線性功率增益：GL=13 dB 6 GHz時的典型值
高線性度：IP3=40 dBm，6 GHz時典型
高功率附加效率：6 GHz時標(biāo)稱PAE為43%
過孔源接地
適用于高可靠性應(yīng)用
擊穿電壓：BVDGO≥15 V
Lg=0.35μm，Wg=2.4 mm
嚴(yán)密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測試

 

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